Drukuj stronę
NXH35C120L2C2ESG
moduł IGBT, 3-fazowy CIB (przetwornik + inwerter + hamowanie), 35 A, 1.8 V, 150 °C, DIP
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 261,850 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
261,85 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH35C120L2C2ESG
Nr katalogowy Farnell3464032
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBT3-fazowy CIB (przetwornik + inwerter + hamowanie)
Biegunowość tranzystoraSześć kanałów N
Prąd kolektora DC35A
Prąd ciągły kolektora35A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.8V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.8V
Rozpraszanie mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Temperatura robocza, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraDIP
Zakończenie IGBTlutowana
Liczba pinów26Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBT-
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
3-fazowy CIB (przetwornik + inwerter + hamowanie)
Prąd kolektora DC
35A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.8V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura robocza, maks.
150°C
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
lutowana
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Biegunowość tranzystora
Sześć kanałów N
Prąd ciągły kolektora
35A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.8V
Rozproszenie mocy
-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
DIP
Liczba pinów
26Pins
Technologia IGBT
-
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002
Śledzenie produktu