Drukuj stronę
NXH80T120L3Q0S3G
moduł IGBT, podwójna (półmostkowa), 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH80T120L3Q0S3G
Nr katalogowy Farnell3929816
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
1 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 194,420 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
194,42 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH80T120L3Q0S3G
Nr katalogowy Farnell3929816
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójna (półmostkowa)
Prąd kolektora DC75A
Prąd ciągły kolektora75A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.7V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.7V
Rozpraszanie mocy Pd188W
Rozproszenie mocy188W
Temperatura złącza Tj, maks.175°C
Temperatura robocza, maks.175°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTpin lutowany
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Technologia IGBTIGBT [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEliteSiC Series
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójna (półmostkowa)
Prąd ciągły kolektora
75A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.7V
Rozproszenie mocy
188W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Zakończenie IGBT
pin lutowany
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Prąd kolektora DC
75A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.7V
Rozpraszanie mocy Pd
188W
Temperatura złącza Tj, maks.
175°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Technologia IGBT
IGBT [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EliteSiC Series
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.09
Śledzenie produktu