Drukuj stronę
UMF9NTR
Sieć tranzystorów bipolarnych, NPN + N MOSFET, 12 V, 500 mA, 150 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaUMF9NTR
Nr katalogowy Farnell1525594
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN + N MOSFET
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN12V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora, NPN500mA
Prąd ciągły kolektora, PNP-
Rozproszenie mocy, NPN150mW
Rozproszenie mocy, PNP-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN270hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP-
Rodzaj obudowy tranzystoraSC-88
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN320MHz
Częstotliwość przejścia, PNP-
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN + N MOSFET
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Prąd ciągły kolektora, PNP
-
Rozproszenie mocy, PNP
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
-
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-
Kwalifikacja
-
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
12V
Prąd ciągły kolektora, NPN
500mA
Rozproszenie mocy, NPN
150mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
270hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SC-88
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
320MHz
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000006