Drukuj stronę
GD1000HFX170P2S
moduł IGBT, półmostek, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 24 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 1 975,040 zł |
| 5+ | 1 925,630 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
1 975,04 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTARPOWER
Nr części producentaGD1000HFX170P2S
Nr katalogowy Farnell3549210
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpółmostek
Prąd kolektora DC1.604kA
Prąd ciągły kolektora1.604kA
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.95V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.95V
Rozpraszanie mocy Pd6.25kW
Rozproszenie mocy6.25kW
Temperatura robocza, maks.150°C
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTzatrzask
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.7kV
Maks. napięcie kolektor-emiter1.7kV
Technologia IGBTTrench Field Stop
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
półmostek
Prąd ciągły kolektora
1.604kA
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.95V
Rozproszenie mocy
6.25kW
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.7kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
To Be Advised
Prąd kolektora DC
1.604kA
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.95V
Rozpraszanie mocy Pd
6.25kW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.7kV
Technologia IGBT
Trench Field Stop
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.3