Drukuj stronę
A2C50S65M2
moduł IGBT, 3-fazowy CIB (przetwornik + inwerter + hamowanie), 50 A, 1.95 V, 208 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaA2C50S65M2
Nr katalogowy Farnell2987034
Asortyment produktówACEPACK 2 M
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 28 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 238,640 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
238,64 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaA2C50S65M2
Nr katalogowy Farnell2987034
Asortyment produktówACEPACK 2 M
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraSześć kanałów N
Konfiguracja IGBT3-fazowy CIB (przetwornik + inwerter + hamowanie)
Prąd ciągły kolektora50A
Prąd kolektora DC50A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.95V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.95V
Rozpraszanie mocy Pd208W
Rozproszenie mocy208W
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo650V
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTlutowana
Liczba pinów25Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter650V
Technologia IGBTTrench Field Stop
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówACEPACK 2 M
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Sześć kanałów N
Prąd ciągły kolektora
50A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.95V
Rozpraszanie mocy Pd
208W
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
lutowana
Maks. napięcie kolektor-emiter
650V
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Konfiguracja IGBT
3-fazowy CIB (przetwornik + inwerter + hamowanie)
Prąd kolektora DC
50A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.95V
Rozproszenie mocy
208W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
650V
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Liczba pinów
25Pins
Technologia IGBT
Trench Field Stop
Asortyment produktów
ACEPACK 2 M
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00145