Drukuj stronę
A2P75S12M3
moduł IGBT, 6x (mostek pełny), 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaA2P75S12M3
Nr katalogowy Farnell2832457
Asortyment produktówACEPACK 2 M
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 52 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 315,490 zł |
| 5+ | 282,020 zł |
| 10+ | 248,560 zł |
| 50+ | 243,580 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
315,49 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaA2P75S12M3
Nr katalogowy Farnell2832457
Asortyment produktówACEPACK 2 M
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBT6x (mostek pełny)
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC75A
Prąd ciągły kolektora75A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.95V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.95V
Rozpraszanie mocy Pd454.5W
Rozproszenie mocy454.5W
Temperatura robocza, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTlutowana
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTTrench Field Stop
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówACEPACK 2 M
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
6x (mostek pełny)
Prąd kolektora DC
75A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.95V
Rozpraszanie mocy Pd
454.5W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
lutowana
Technologia IGBT
Trench Field Stop
Asortyment produktów
ACEPACK 2 M
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
75A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.95V
Rozproszenie mocy
454.5W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00145
Śledzenie produktu