Drukuj stronę
PD84008L-E
Tranzystor FET RF, 25 V, 7 A, 26.7 W, 1 GHz, PowerFLAT
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaPD84008L-E
Nr katalogowy Farnell3129606
Karta katalogowa
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaPD84008L-E
Nr katalogowy Farnell3129606
Karta katalogowa
Napięcie drenu / źródła Vds25V
Prąd ciągły Id drenu7A
Rozproszenie mocy26.7W
Częstotliwość robocza, min.-
Częstotliwość robocza, maks.1GHz
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerFLAT
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Napięcie drenu / źródła Vds
25V
Rozproszenie mocy
26.7W
Częstotliwość robocza, maks.
1GHz
Liczba pinów
8Pins
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Prąd ciągły Id drenu
7A
Częstotliwość robocza, min.
-
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerFLAT
Temperatura robocza, maks.
150°C
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00035
Śledzenie produktu