Drukuj stronę
STD12NF06T4
MOSFET mocy, Kanał typu N, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTD12NF06T4
Nr katalogowy Farnell2098158
Twój numer części
Karta katalogowa
5 851 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 5,280 zł |
| 10+ | 3,680 zł |
| 100+ | 2,600 zł |
| 500+ | 2,000 zł |
| 1000+ | 1,830 zł |
| 5000+ | 1,790 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
5,28 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTD12NF06T4
Nr katalogowy Farnell2098158
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds60V
Prąd ciągły Id drenu12A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.1ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy30W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
The STD12NF06T4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Exceptional dV/dt capability
- Low gate charge
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
12A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
30W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
60V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.1ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze STD12NF06T4
Znaleziono 8 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000408
Śledzenie produktu