Drukuj stronę
STP55NF06L
MOSFET mocy, Kanał typu N, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTP55NF06L
Nr katalogowy Farnell2101463
Asortyment produktówSTP
Karta katalogowa
937 W Magazynie
450 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 7,470 zł |
| 10+ | 4,170 zł |
| 100+ | 4,020 zł |
| 500+ | 3,540 zł |
| 1000+ | 3,320 zł |
| 5000+ | 2,830 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
7,47 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTP55NF06L
Nr katalogowy Farnell2101463
Asortyment produktówSTP
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds60V
Prąd ciągły Id drenu55A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.018ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220
Montaż tranzystoraprzewlekany
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.7V
Rozproszenie mocy95W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówSTP
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCLead (21-Jan-2025)
Specyfikacja
STP55NF06L to N-kanałowy MOSFET mocy - najnowsza wersja unikalnego procesu typu strip-based Single Feature Size™ firmy SRMicroelectronics. Tranzystor wykazuje niezwykle dużą gęstość przy niskiej rezystancji. Lepsze parametry lawinowe oraz ustawień zapewniają znakomite możliwości produkcyjne.
- Wyjątkowa wydajność dV/dt
- 100% testowany lawinowo
- Charakterystyka aplikacyjna
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
55A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-220
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
95W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
60V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.018ohm
Montaż tranzystora
przewlekany
Napięcie progowe Vgs
1.7V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
STP
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Morocco
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Morocco
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0022