Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
4 411 W Magazynie
5 000 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 5,740 zł |
| 50+ | 3,790 zł |
| 100+ | 3,360 zł |
| 500+ | 3,030 zł |
| 1000+ | 2,800 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
28,70 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaTS912IDT
Nr katalogowy Farnell1642723
Karta katalogowa
Liczba kanałów2Channels
Pole wzmocnienia (GBW)1.4MHz
Typowa prędkość narastania1.3V/µs
Zakres napięcia zasilania2.7V do 16V
Obudowa układu ICSOIC
Liczba pinów8Pins
Typ wzmacniaczaCMOS
Rail-to-railWejście/wyjście rail-to-rail (RRIO)
Napięcie niezrównoważenia wejścia10mV
Prąd polaryzacji wejścia1pA
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.125°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Rodzaj obudowy wzmacniaczaSOIC
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Szerokość pasma1.4MHz
Liczba wzmacniaczy2 wzmacniacze
Szybkość narastania (slew rate)1.3V/µs
Specyfikacja
The TS912IDT is a rail-to-rail CMOS Dual Operational Amplifier designed to operate with a single or dual supply voltage. This product offers a broad supply voltage operating range from 2.7 to 16V and a supply current of only 200μA/amp. Source and sink output current capability is typically 40mA, fixed by an internal limitation circuit.
- Single (or dual) supply operation from 2.7 to 16V
- 1pA Typical extremely low input bias current
- 2mV Maximum low input offset voltage
- Specified for 600Ω and 100Ω loads
- 200μA/amplifier Low supply current
- Latch-up immunity
- 3kV ESD tolerance
Specyfikacje techniczne
Liczba kanałów
2Channels
Typowa prędkość narastania
1.3V/µs
Obudowa układu IC
SOIC
Typ wzmacniacza
CMOS
Napięcie niezrównoważenia wejścia
10mV
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
125°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Liczba wzmacniaczy
2 wzmacniacze
Pole wzmocnienia (GBW)
1.4MHz
Zakres napięcia zasilania
2.7V do 16V
Liczba pinów
8Pins
Rail-to-rail
Wejście/wyjście rail-to-rail (RRIO)
Prąd polaryzacji wejścia
1pA
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Rodzaj obudowy wzmacniacza
SOIC
Szerokość pasma
1.4MHz
Szybkość narastania (slew rate)
1.3V/µs
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze TS912IDT
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001