Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 528,890 zł |
| 5+ | 518,300 zł |
| 10+ | 507,750 zł |
| 50+ | 497,120 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
The TS256MSQ64V8U is a 128M x 8 DRAM high-speed low power memory DDR2 Unbuffered DIMM use DDR2 SDRAM and a 2048 bits serial EEPROM on a 240-pin printed circuit board. It is a Dual In-Line Memory Module and is intended for mounting into 240-pin edge connector sockets. The synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. The data I/O transactions are possible on both edges of DQS, range of operation frequencies, programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
- Programmable sequential/interleave burst mode
- Bi-directional differential data-strobe
- Off-chip driver (OCD) impedance adjustment
- MRS cycle with address key programs
- On die termination
- Serial presence detect with EEPROM
Specyfikacje techniczne
2GB
PC2-6400
SODIMM do notebooka
1.9V
0°C
-
800MHz
200-pinowa DDR2 SO-DIMM
1.7V
1.8V
85°C
No SVHC (14-Jun-2023)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu