Drukuj stronę
SI4100DY-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 100 V, 6.8 A, 0.063 ohm, SOIC, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 917 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 2,810 zł |
| 500+ | 2,550 zł |
| 1000+ | 2,350 zł |
| 5000+ | 2,060 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
301,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI4100DY-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell1779251RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Prąd ciągły Id drenu6.8A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.063ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2V
Rozproszenie mocy6W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
SI4100DY-T1-GE3 jest N-kanałowym tranzystorem MOSFET mocy TrenchFET® 100VDS. Jest odpowiedni do przetwornicy boost wysokiej częstotliwości oraz podświetlania LED do aplikacji LCD TV.
- W 100% testowany pod kątem UIS
- Bezhalogenowe
- Zakres temperatury pracy -55 do 150°C
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
6.8A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
6W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.063ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI4100DY-T1-GE3
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0005
Śledzenie produktu