Drukuj stronę
SI7139DP-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu P, 30 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
25 188 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 7,090 zł |
| 10+ | 4,900 zł |
| 100+ | 3,310 zł |
| 500+ | 2,430 zł |
| 1000+ | 2,260 zł |
| 5000+ | 2,150 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
7,09 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI7139DP-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell2335355
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds30V
Prąd ciągły Id drenu40A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”5500µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK SO
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs1.2V
Rozproszenie mocy48W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (21-Jan-2025)
Specyfikacja
SI7139DP-T1-GE3 jest P-kanałowym, wzbogaconym MOSFET-em mocy 30VDS, odpowiednim do aplikacji przełączania zasilacza, baterii i przełączania obciążenia.
- W 100% testowany pod kątem Rg
- W 100% testowany pod kątem UIS
- Bezhalogenowe
- Zakres temperatury pracy -55 do 150°C
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
40A
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK SO
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
48W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
30V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
5500µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.2V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI7139DP-T1-GE3
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002217
Śledzenie produktu