Drukuj stronę
WG40N120HFW1Q
IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentWEEN SEMICONDUCTORS
Nr części producentaWG40N120HFW1Q
Nr katalogowy Farnell4697770
Karta katalogowa
232 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 15,610 zł |
| 10+ | 13,670 zł |
| 100+ | 11,310 zł |
| 500+ | 10,170 zł |
| 1000+ | 9,370 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
15,61 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentWEEN SEMICONDUCTORS
Nr części producentaWG40N120HFW1Q
Nr katalogowy Farnell4697770
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora80A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.2V
Rozproszenie mocy750W
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
WG40N120HFW1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop IGBT technology with anti-parallel diode. This device is part of the high speed series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converter. Typical applications include solar inverter, UPS, welding converters, PFC and mid to high switching frequency applications.
- High switching speed, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Very soft, fast recovery anti-parallel diode
- Collector-emitter breakdown voltage is 1200V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 2.3V typ at VGE = 0V; IF = 40A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 250μA max at VCE = 1200V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 200nC typ at VCC = 960V; IC = 40A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 126nS typ at Tj = 25°C;VCC = 600V; IC = 40A; VGE = 15V / 0V;RG = 3.6ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
80A
Rozproszenie mocy
750W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.2V
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001