Drukuj stronę
AUIRF4905STRL
MOSFET mocy, Kanał typu P, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaAUIRF4905STRL
Nr katalogowy Farnell2725788RL
Asortyment produktówHEXFET Series
Inna nazwaSP001517998
Karta katalogowa
15 315 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 19,960 zł |
| 100+ | 16,630 zł |
| 500+ | 13,630 zł |
| 1000+ | 13,380 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 10
Wiele: 1
219,60 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaAUIRF4905STRL
Nr katalogowy Farnell2725788RL
Asortyment produktówHEXFET Series
Inna nazwaSP001517998
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds55V
Prąd ciągły Id drenu42A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263AB
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy170W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówHEXFET Series
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Specyfikacja
Automotive grade HEXFET® power MOSFET specifically designed for automotive applications.
- Advanced planar technology
- P-channel MOSFET
- Low on-resistance
- Fast switching speed and ruggedized device design
- Repetitive avalanche allowed up to Taxa
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
42A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263AB
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
170W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Napięcie drenu / źródła Vds
55V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.02ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
HEXFET Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001