Drukuj stronę
AUIRFS3107TRL
MOSFET mocy, Kanał typu N, 75 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, montaż powierzchniowy
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaAUIRFS3107TRL
Nr katalogowy Farnell2725793RL
Asortyment produktówHEXFET
Inna nazwaSP001521708
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds75V
Prąd ciągły Id drenu195A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”2500µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263AB
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy370W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówHEXFET
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze AUIRFS3107TRL
Znaleziono 3 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
195A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263AB
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
370W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
75V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
2500µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
HEXFET
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu