Drukuj stronę
BF999E6327HTSA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 20 V, 30 mA, SOT-23, montaż powierzchniowy
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBF999E6327HTSA1
Nr katalogowy Farnell2725798RL
Asortyment produktówBF999
Inna nazwaBF 999 E6327, SP000010985
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu30mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”-
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)-
Napięcie progowe Vgs-
Rozproszenie mocy200mW
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówBF999
KwalifikacjaAEC-Q101
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
30mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
-
Rozproszenie mocy
200mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
-
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
-
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
BF999
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000002