Drukuj stronę
BSO604NS2XUMA1
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 55 V, 55 V, 5 A, 5 A, 0.031 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSO604NS2XUMA1
Nr katalogowy Farnell2725821RL
Asortyment produktówOptiMOS Series
Inna nazwaBSO604NS2, SP000396268
Karta katalogowa
23 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 6,160 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Maksymalna dostępna liczba to 23
Minimum: 100
Wiele: 1
636,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSO604NS2XUMA1
Nr katalogowy Farnell2725821RL
Asortyment produktówOptiMOS Series
Inna nazwaBSO604NS2, SP000396268
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N55V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P55V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N5A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.031ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.031ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N2W
Rozproszenie mocy, kanał typu P2W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówOptiMOS Series
KwalifikacjaAEC-Q101
Specyfikacja
- Tranzystor mocy OptiMOS™ 2
- Opcja dwukanałowa (N-kanałowa)
- Kanał wzbogacony
- Poziom logiczny
- Temperatura robocza: 150°C
- Z parametrami lawinowymi
- dV/dt
- Kwalifikacja AEC
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt przyczyniło się do wydłużenia czasu realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
55V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.031ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
2W
Asortyment produktów
OptiMOS Series
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
55V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.031ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Rozproszenie mocy, kanał typu N
2W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000265
Śledzenie produktu