Drukuj stronę
IGB15N60TATMA1
IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIGB15N60TATMA1
Nr katalogowy Farnell1832353
Inna nazwaIGB15N60T, SP000054921
Karta katalogowa
595 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 7,980 zł |
| 10+ | 5,110 zł |
| 100+ | 3,440 zł |
| 500+ | 2,730 zł |
| 1000+ | 2,610 zł |
| 5000+ | 2,490 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
7,98 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIGB15N60TATMA1
Nr katalogowy Farnell1832353
Inna nazwaIGB15N60T, SP000054921
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora15A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.05V
Rozproszenie mocy130W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263 (D2PAK)
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The IGB15N60T is a Low Loss IGBT in TRENCHSTOP™ and field-stop technology. The TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of Trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-ON losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
- Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
- Very soft and fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
- High ruggedness, temperature stable behaviour
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
- Highest efficiency - Low conduction and switching losses
- High device reliability
- 5μs Short-circuit withstand time
- Green product
- Halogen-free
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
15A
Rozproszenie mocy
130W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263 (D2PAK)
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.05V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00143
Śledzenie produktu