Drukuj stronę
IPD30N06S2L23ATMA3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
57 004 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,870 zł |
| 500+ | 1,790 zł |
| 1000+ | 1,650 zł |
| 5000+ | 1,530 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
207,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPD30N06S2L23ATMA3
Nr katalogowy Farnell2709861RL
Asortyment produktówOptiMOS
Inna nazwaIPD30N06S2L-23, SP001061286
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds55V
Prąd ciągły Id drenu30A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.023ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.6V
Rozproszenie mocy100W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówOptiMOS
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- Tranzystor mocy OptiMOS®
- N-kanałowy poziom logiczny, tryb wzbogacony
- Kwalifikacja klasy samochodowej AEC Q101
- Ultraniska wartość RDS(on)
- W 100% przetestowany lawinowo
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt przyczyniło się do wydłużenia czasu realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
30A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
100W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
55V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.023ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.6V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
OptiMOS
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IPD30N06S2L23ATMA3
Znaleziono 8 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0003