Drukuj stronę
IPG20N10S4L22AATMA1
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPG20N10S4L22AATMA1
Nr katalogowy Farnell2725856RL
Asortyment produktówOptiMOS T2 Series
Inna nazwaIPG20N10S4L-22A, SP001091984
Karta katalogowa
15 195 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 3,560 zł |
| 500+ | 2,750 zł |
| 1000+ | 2,610 zł |
| 5000+ | 2,240 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
376,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPG20N10S4L22AATMA1
Nr katalogowy Farnell2725856RL
Asortyment produktówOptiMOS T2 Series
Inna nazwaIPG20N10S4L-22A, SP001091984
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N100V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N20A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.02ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTDSON
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N60W
Rozproszenie mocy, kanał typu P60W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówOptiMOS T2 Series
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- OptiMOS™ -T2 power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
- Feasible for automatic optical inspection (AOI)
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.02ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
60W
Asortyment produktów
OptiMOS T2 Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TDSON
Rozproszenie mocy, kanał typu N
60W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000389
Śledzenie produktu