Drukuj stronę
IRF7329TRPBF
Podwójny MOSFET, Kanał typu P, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRF7329TRPBF
Nr katalogowy Farnell2725899RL
Asortyment produktówHEXFET Series
Inna nazwaSP001566104
Karta katalogowa
3 623 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 2,410 zł |
| 500+ | 2,190 zł |
| 1000+ | 2,000 zł |
| 5000+ | 1,760 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
261,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRF7329TRPBF
Nr katalogowy Farnell2725899RL
Asortyment produktówHEXFET Series
Inna nazwaSP001566104
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N12V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P12V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N9.2A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P9.2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.017ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.017ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N2W
Rozproszenie mocy, kanał typu P2W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówHEXFET Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
12V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
9.2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.017ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
2W
Asortyment produktów
HEXFET Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
12V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
9.2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.017ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Rozproszenie mocy, kanał typu N
2W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000074
Śledzenie produktu