Drukuj stronę
IRL6342PBF
MOSFET mocy, Kanał typu N, 30 V, 9.9 A, 0.012 ohm, SOIC, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRL6342PBF
Nr katalogowy Farnell1890091
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds30V
Prąd ciągły Id drenu9.9A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.012ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs1.1V
Rozproszenie mocy2.5W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IRL6342PBF
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
The IRL6342PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET for use with battery protection, high side and low side load switch.
- Industry standard package for multi-vendor compatibility
- Halogen-free
- Logic level
- Consumer qualification MSL-1 (increased reliability)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
9.9A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
2.5W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
30V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.012ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.1V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (4)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0005