Drukuj stronę
PUMH1,115
Bipolarny tranzystor Pre-Biased /cyfrowy, BRT, Podwójny NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPUMH1,115
Nr katalogowy Farnell8738440
Asortyment produktówPUMH1 Series
Karta katalogowa
1 320 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,370 zł |
| 50+ | 0,770 zł |
| 100+ | 0,490 zł |
| 500+ | 0,380 zł |
| 1500+ | 0,330 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
6,85 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPUMH1,115
Nr katalogowy Farnell8738440
Asortyment produktówPUMH1 Series
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN50V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora100mA
Rezystor R1 wejście bazy22kohm
Rezystor R2 baza-emiter22kohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6 pinów
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Rozproszenie mocy300mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Min. wzmocnienie prądu DC hFE60hFE
Asortyment produktówPUMH1 Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
The PUMH1 is a dual NPN Resistor Equipped Transistor Array in a surface-mount plastic package. This bipolar device is suitable for low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.
- Built-in bias resistors
- Simplifies circuit design
- Reduces component count
- PUMB1 dual PNP complement
- PUMD2 NPN-PNP complement
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie rynkowe na ten produkt spowodowało wydłużenie czasu realizacji - czasy dostaw mogą ulec zmianie
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Rezystor R1 wejście bazy
22kohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
PUMH1 Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
50V
Prąd ciągły kolektora
100mA
Rezystor R2 baza-emiter
22kohm
Liczba pinów
6 pinów
Rozproszenie mocy
300mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
60hFE
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000053
Śledzenie produktu