Drukuj stronę
BUK9K6R2-40E,115
MOSFET mocy, Kanał typu N, 40 V, 40 A, 4840 µohm, SOT-1205, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 15 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 8,100 zł |
| 10+ | 5,740 zł |
| 100+ | 4,560 zł |
| 500+ | 4,300 zł |
| 1000+ | 3,970 zł |
| 5000+ | 3,630 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
8,10 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBUK9K6R2-40E,115
Nr katalogowy Farnell2215821
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu40A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”4840µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-1205
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.7V
Rozproszenie mocy68W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (25-Jun-2025)
Specyfikacja
BUK9K6R2-40E jest N-kanałowym, podwójnym MOSFET-em poziomu logicznego, zaprojektowanym do korzystania z technologii TrenchMOS®. Układ jest zaprojektowany i ma kwalifikację dla normy AEC-Q101. Przeznaczony jest do użytku w aplikacjach motoryzacyjnych wysokiej wydajności.
- Z powtarzalnymi parametrami lawinowymi
- Odpowiedni do środowisk o dużych wymogach termicznych dzięki temperaturze znamionowej 175°C
- Bramka poziomu logicznego (true) z parametrami VGS (th) <gt/>0.5V przy 175°C
- Zakres temperatury połączeniowej: -55 do 175°C
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
40A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-1205
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
68W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
4840µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.7V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000112
Śledzenie produktu