Drukuj stronę
PMDXB600UNEZ
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.62 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPMDXB600UNEZ
Nr katalogowy Farnell2498568RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N20V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N600mA
Prąd ciągły Id drenu, kanał P600mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.62ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P-
Rodzaj obudowy tranzystoraDFN1010B
Liczba pinów6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N265mW
Rozproszenie mocy, kanał typu P265mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
600mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
-
Liczba pinów
6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
265mW
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
600mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.62ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
DFN1010B
Rozproszenie mocy, kanał typu N
265mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00007