Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 5,700 zł |
| 10+ | 3,810 zł |
| 100+ | 2,470 zł |
| 500+ | 2,260 zł |
| 1000+ | 1,990 zł |
| 5000+ | 1,710 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
PSMN040-100MSEX is a N-channel 100V 36.6mohm standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for high-power PoE applications. It is a new standard and proprietary approaches are enabling Power-over-Ethernet (PoE) systems capable of delivering up to 90W to each powered device (PD). Such solutions place increased demands on the power sourcing equipment (PSE) in terms of “soft-start”, thermal management, and power density requirements. The applications include high-power PoE applications (60W and higher), IEEE 802.3at, and proprietary solutions.
- Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
- Low Rdson for low conduction losses
- Ultra reliable LFPAK33 package for superior thermal and ruggedness performance
- Drain-source voltage is 100V max (Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C)
- Drain current is 30A max (VGS = 10V; Tj ID drain current = 25°C)
- Total power dissipation is 91W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 66mohm max (VGS = 10V; ID = 10A; Tj = 100°C
- Gate-drain charge is 10.7nC typ (ID = 10A; VDS = 50V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 30nC typ (ID = 10A; VDS = 50V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- 4 leads SOT1210 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Specyfikacje techniczne
Kanał typu N
30A
SOT-1210
10V
91W
175°C
-
Lead (25-Jun-2025)
100V
0.0294ohm
montaż powierzchniowy
3.3V
4Pins
-
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu