Drukuj stronę
PSMN2R4-30YLDX
MOSFET mocy, Kanał typu N, 30 V, 100 A, 2000 µohm, PowerSO, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPSMN2R4-30YLDX
Nr katalogowy Farnell2400977
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds30V
Prąd ciągły Id drenu100A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”2000µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerSO
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.7V
Rozproszenie mocy106W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze PSMN2R4-30YLDX
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
The PSMN2R4-30YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET optimised for 4.5V gate drive. NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
- Superfast switching with soft-recovery (s-factor<gt/>1)
- Low spiking and ringing for low EMI designs
- Unique SchottkyPlus technology
- Schottky-like performance with <lt/>1µA leakage at 25°C
- Low parasitic inductance and resistance
- High reliability clip bonded and solder die attach power SO8 package
- No glue, no wire bonds, qualified to 175°C
- Wave solderable, exposed leads for optimal visual solder inspection
- -55 to 175°C Junction temperature range
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
100A
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerSO
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
106W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
30V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
2000µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.7V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00003