Drukuj stronę
PSMN5R5-60YS,115
MOSFET mocy, Kanał typu N, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 18 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 50+ | 5,990 zł |
| 200+ | 4,810 zł |
| 500+ | 4,730 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
619,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPSMN5R5-60YS,115
Nr katalogowy Farnell1785624RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds60V
Prąd ciągły Id drenu100A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”5200µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-669
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy130W
Liczba pinów4Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (25-Jun-2025)
Specyfikacja
The PSMN5R5-60YS is a 60V standard level N-channel MOSFET using advanced TrenchMOS provides low RDS (on), low gate charge and high efficiency gains in switching power converters. Suitable for use in DC to DC converters, motor control and server power supplies applications.
- 175°C Junction temperature
- Improved mechanical and thermal characteristics
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie rynkowe na ten produkt spowodowało wydłużenie czasu realizacji - czasy dostaw mogą ulec zmianie
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
100A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-669
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
130W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
60V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
5200µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3V
Liczba pinów
4Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze PSMN5R5-60YS,115
Znaleziono 5 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000183