Drukuj stronę
EFC8811R-TF
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 341 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 2,350 zł |
| 500+ | 1,790 zł |
| 1000+ | 1,640 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
255,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaEFC8811R-TF
Nr katalogowy Farnell2706277RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N12V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P12V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N27A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P27A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N-
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P-
Rodzaj obudowy tranzystoraCSP
Liczba pinów6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N2.5W
Rozproszenie mocy, kanał typu P2.5W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
12V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
27A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
-
Liczba pinów
6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
2.5W
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
12V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
27A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
-
Rodzaj obudowy tranzystora
CSP
Rozproszenie mocy, kanał typu N
2.5W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00001