Drukuj stronę
NCV8402ADDR2G
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 42 V, 42 V, 2 A, 2 A, 0.165 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
6 085 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 3,270 zł |
| 500+ | 2,920 zł |
| 1000+ | 2,680 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
347,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNCV8402ADDR2G
Nr katalogowy Farnell2533221RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N42V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P42V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N2A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.165ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.165ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N1.62W
Rozproszenie mocy, kanał typu P1.62W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
42V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.165ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
1.62W
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
42V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.165ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Rozproszenie mocy, kanał typu N
1.62W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 6 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001
Śledzenie produktu