Drukuj stronę
NTMFS4H01NFT1G
MOSFET mocy, Kanał typu N, 25 V, 334 A, 0.056 ohm, DFN, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNTMFS4H01NFT1G
Nr katalogowy Farnell2728032RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds25V
Prąd ciągły Id drenu334A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.056ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraDFN
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2.1V
Rozproszenie mocy125W
Liczba pinów5Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze NTMFS4H01NFT1G
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
334A
Rodzaj obudowy tranzystora
DFN
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
125W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
25V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.056ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2.1V
Liczba pinów
5Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00001