Drukuj stronę
NTMFS5H409NLT1G
MOSFET mocy, Kanał typu N, 40 V, 270 A, 850 µohm, DFN, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNTMFS5H409NLT1G
Nr katalogowy Farnell2563380RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu270A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”850µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraDFN
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2V
Rozproszenie mocy140W
Liczba pinów5Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
270A
Rodzaj obudowy tranzystora
DFN
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
140W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
850µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2V
Liczba pinów
5Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0112
Śledzenie produktu