Drukuj stronę
NVD5807NT4G
MOSFET mocy, Kanał typu N, 40 V, 23 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNVD5807NT4G
Nr katalogowy Farnell2728045RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu23A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.031ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2.5V
Rozproszenie mocy33W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
23A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
33W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.031ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2.5V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000389
Śledzenie produktu