Drukuj stronę
NVMFS5C423NLT1G
MOSFET mocy, Kanał typu N, 40 V, 150 A, 0.003 ohm, DFN, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNVMFS5C423NLT1G
Nr katalogowy Farnell2508381RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu150A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.003ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraDFN
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2V
Rozproszenie mocy83W
Liczba pinów5Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze NVMFS5C423NLT1G
Znaleziono 2 produktów
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
150A
Rodzaj obudowy tranzystora
DFN
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
83W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.003ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2V
Liczba pinów
5Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001