Drukuj stronę
NVTFS5820NLTAG
MOSFET mocy, Kanał typu N, 60 V, 11 A, 0.0115 ohm, WDFN, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNVTFS5820NLTAG
Nr katalogowy Farnell2533215RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds60V
Prąd ciągły Id drenu11A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0115ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraWDFN
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2.3V
Rozproszenie mocy3.2W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze NVTFS5820NLTAG
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
11A
Rodzaj obudowy tranzystora
WDFN
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
3.2W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Napięcie drenu / źródła Vds
60V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0115ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2.3V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0005