Drukuj stronę
QS6M3TR
Podwójny MOSFET, Komplementarny kanał N i P, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
230 615 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 3,250 zł |
| 10+ | 1,980 zł |
| 100+ | 1,430 zł |
| 500+ | 1,010 zł |
| 1000+ | 0,900 zł |
| 5000+ | 0,790 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
16,25 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaQS6M3TR
Nr katalogowy Farnell1525473
Karta katalogowa
Typ kanałuKomplementarny kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N20V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N1.5A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P1.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.17ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.17ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTSMT
Liczba pinów6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N900mW
Rozproszenie mocy, kanał typu P1.25W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Specyfikacja
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Komplementarny kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
1.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.17ohm
Liczba pinów
6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
1.25W
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
1.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.17ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TSMT
Rozproszenie mocy, kanał typu N
900mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000014