Drukuj stronę
RND030N20TL
MOSFET mocy, Kanał typu N, 200 V, 3 A, 0.87 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaRND030N20TL
Nr katalogowy Farnell2706761RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds200V
Prąd ciągły Id drenu3A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.87ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs5.2V
Rozproszenie mocy20W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (23-Jan-2024)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze RND030N20TL
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
3A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
20W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
200V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.87ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
5.2V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000012
Śledzenie produktu