Drukuj stronę
RSJ550N10TL
MOSFET mocy, Kanał typu N, 100 V, 55 A, 0.0168 ohm, TO-263 (D2PAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaRSJ550N10TL
Nr katalogowy Farnell2706670RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Prąd ciągły Id drenu55A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0168ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263 (D2PAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2.5V
Rozproszenie mocy100W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.-
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze RSJ550N10TL
Znaleziono 5 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
55A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263 (D2PAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
100W
Temperatura robocza, maks.
-
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0168ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2.5V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001