Drukuj stronę
RSR025N03TL
MOSFET mocy, Kanał typu N, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 000 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,270 zł |
| 500+ | 1,140 zł |
| 1000+ | 1,050 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
147,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaRSR025N03TL
Nr katalogowy Farnell1680367RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds30V
Prąd ciągły Id drenu2.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.07ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTSMT
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2.5V
Rozproszenie mocy1W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze RSR025N03TL
Znaleziono 6 produktów
Specyfikacja
The RSR025N03TL is a N-channel middle Power MOSFET offers 30V drain source voltage and ±2.5A continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
- Small surface-mount package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
2.5A
Rodzaj obudowy tranzystora
TSMT
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
1W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
30V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.07ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2.5V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000165
Śledzenie produktu