Drukuj stronę
RUS100N02TB
MOSFET mocy, Kanał typu N, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOP, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaRUS100N02TB
Nr katalogowy Farnell2490248
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu10A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.012ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOP
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs1V
Rozproszenie mocy2W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze RUS100N02TB
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
10A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOP
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
2W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.012ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.005577
Śledzenie produktu