Drukuj stronę
LET9045F
Tranzystor FET RF, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaLET9045F
Nr katalogowy Farnell2341740
Karta katalogowa
Napięcie drenu / źródła Vds80V
Prąd ciągły Id drenu9A
Rozproszenie mocy108W
Częstotliwość robocza, min.-
Częstotliwość robocza, maks.1GHz
Rodzaj obudowy tranzystoraM250
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.200°C
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoraKołnierzowy
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Napięcie drenu / źródła Vds
80V
Rozproszenie mocy
108W
Częstotliwość robocza, maks.
1GHz
Liczba pinów
3Pins
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Prąd ciągły Id drenu
9A
Częstotliwość robocza, min.
-
Rodzaj obudowy tranzystora
M250
Temperatura robocza, maks.
200°C
Montaż tranzystora
Kołnierzowy
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Morocco
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Morocco
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.004536
Śledzenie produktu