Drukuj stronę
STB120N4LF6
MOSFET mocy, Kanał typu N, 40 V, 80 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTB120N4LF6
Nr katalogowy Farnell2098114
Karta katalogowa
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTB120N4LF6
Nr katalogowy Farnell2098114
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu80A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3100µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263 (D2PAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1V
Rozproszenie mocy110W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze STB120N4LF6
Znaleziono 4 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
80A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263 (D2PAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
110W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
3100µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.138
Śledzenie produktu