Drukuj stronę
STD11N65M2
MOSFET mocy, Kanał typu N, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTD11N65M2
Nr katalogowy Farnell2460397RL
Karta katalogowa
1 220 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (z VAT) |
|---|---|
| 100+ | 6,8019 zł |
| 500+ | 4,1574 zł |
| 1000+ | 3,690 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
700,19 zł (z VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTD11N65M2
Nr katalogowy Farnell2460397RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds650V
Prąd ciągły Id drenu7A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.6ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy85W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
- 650V, 7A N-channel MDmesh™ M2 power MOSFET in 3 pin DPAK package
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% avalanche tested
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics
- Suitable for the most demanding high-efficiency converters
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
7A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
85W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
650V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.6ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze STD11N65M2
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.004536