Drukuj stronę
IRFD420PBF
MOSFET mocy, Kanał typu N, 500 V, 370 mA, 3 ohm, HVMDIP, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaIRFD420PBF
Nr katalogowy Farnell2646352
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds500V
Prąd ciągły Id drenu370mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraHVMDIP
Montaż tranzystoraprzewlekany
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy1W
Liczba pinów4Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
370mA
Rodzaj obudowy tranzystora
HVMDIP
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
1W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Napięcie drenu / źródła Vds
500V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
3ohm
Montaż tranzystora
przewlekany
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
4Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000567
Śledzenie produktu