Drukuj stronę
SI7102DN-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 12 V, 35 A, 3800 µohm, PowerPAK 1212, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI7102DN-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell2335346
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds12V
Prąd ciągły Id drenu35A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3800µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK 1212
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs400mV
Rozproszenie mocy52W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI7102DN-T1-GE3
Znaleziono 3 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
35A
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK 1212
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
52W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
12V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
3800µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
400mV
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001