Drukuj stronę
SI7623DN-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu P, 20 V, 35 A, 3100 µohm, PowerPAK 1212, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 23 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 3,870 zł |
| 500+ | 3,090 zł |
| 1000+ | 2,910 zł |
| 5000+ | 2,510 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
407,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI7623DN-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell2364061RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu35A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3100µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK 1212
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs400mV
Rozproszenie mocy52W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (21-Jan-2025)
Specyfikacja
SI7623DN-T1-GE3 jest P-kanałowym, wzbogaconym tranzystorem MOSFET TrenchFET® 20VDS. Jest odpowiedni do przełączania obciążeń, ładowarki, adaptera i baterii.
- W 100% testowany pod kątem Rg
- W 100% testowany pod kątem UIS
- Bezhalogenowe
- Zakres temperatury pracy -55 do 150°C
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
35A
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK 1212
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
52W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
3100µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
400mV
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI7623DN-T1-GE3
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002
Śledzenie produktu