Drukuj stronę
SIB437EDKT-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu P, 8 V, 9 A, 0.034 ohm, SC-75, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSIB437EDKT-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell2056688
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds8V
Prąd ciągły Id drenu9A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.034ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSC-75
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs350mV
Rozproszenie mocy13W
Liczba pinów6Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
9A
Rodzaj obudowy tranzystora
SC-75
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
13W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
8V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.034ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
350mV
Liczba pinów
6Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0025
Śledzenie produktu