Drukuj stronę
FS25R12W1T4
moduł IGBT, 6x (mostek pełny), 25 A, 1.85 V, 205 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFS25R12W1T4
Nr katalogowy Farnell1833588
Inna nazwaSP000255353
Twój numer części
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 13 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 127,740 zł |
| 5+ | 106,640 zł |
| 10+ | 85,540 zł |
| 50+ | 83,810 zł |
| 100+ | 82,120 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
127,74 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFS25R12W1T4
Nr katalogowy Farnell1833588
Inna nazwaSP000255353
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBT6x (mostek pełny)
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC25A
Prąd ciągły kolektora25A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.85V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.85V
Rozproszenie mocy205W
Rozpraszanie mocy Pd205W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Liczba pinów18Pins
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
The FS25R12W1T4 is an EconoPACK™ 1B IGBT Module with Trench/field-stop IGBT4, emitter controlled 4 diode and NTC. It is suitable for air conditioning and servo drives.
- Low switching losses
- V(CEsat) with positive temperature coefficient
- Al₂O₃ substrate with low thermal resistance
- Compact design
- Solder contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Compact module concept
- Configuration flexibility
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
6x (mostek pełny)
Prąd kolektora DC
25A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.85V
Rozproszenie mocy
205W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Temperatura robocza, maks.
150°C
Liczba pinów
18Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
25A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.85V
Rozpraszanie mocy Pd
205W
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 4
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze FS25R12W1T4
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.024
Śledzenie produktu