Drukuj stronę
EVALISSI20R11HTOBO1
Płytka ewaluacyjna, iSSI20R11H, zaawansow. izolator półprzewodnikowy z transformatorem bezrdzeniowym
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaEVALISSI20R11HTOBO1
Nr katalogowy Farnell4445626
Twój numer części
Karta katalogowa
20 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 661,990 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
661,99 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaEVALISSI20R11HTOBO1
Nr katalogowy Farnell4445626
Karta katalogowa
Rodzaj zastosowania zestawuIsolator
Podtyp zastosowaniaZaawansowany izolator półprzewodnikowy z transformatorem bezrdzeniowym
Producent chipuInfineon
Numer rdzenia chipuiSSI20R11H
Asortyment produktów-
Zawartość zestawuPłytka ewaluacyjna iSSI20R11H
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
EVALISSI20R11HTOBO1 is an Infineon's coreless-transformer advanced solid-state isolator evaluation board for iSSI20R11H. This evaluation board contains the iSSI20R11H and two CoolMOS™ IPT60R065S7 MOSFETs in an AC switch configuration. Typical applications include battery management systems (BMS, industrial automation, power conversion, power transmission and distribution and smart buildings.
- iSSI20R11H + (2) CoolMOS™ IPT60R065S7
- AC switch configuration
- Ultra-fast overcurrent detection (9A)
- Over-temperature (PTC) - optional
- Fast turn-on
- Fast turn-off after overcurrent event
- Fast turn-off after over-temp event
- Fast iSSI evaluation and design
Specyfikacje techniczne
Rodzaj zastosowania zestawu
Isolator
Producent chipu
Infineon
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Podtyp zastosowania
Zaawansowany izolator półprzewodnikowy z transformatorem bezrdzeniowym
Numer rdzenia chipu
iSSI20R11H
Zawartość zestawu
Płytka ewaluacyjna iSSI20R11H
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.1